ROHM開發出1mm見方超小型車載MOSFET

發布時間:2020-9-30 12:51    發布者:eechina
關鍵詞: MOSFET , ECU , ADAS
提升散熱性與安裝可靠性,非常適用于日益高密度化的車載ECU和ADAS相關設備

ROHM(總部位于日本京都市)開發出符合汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101※1的超小型MOSFET “RV8C010UN”、“RV8L002SN”、“BSS84X”,尺寸僅為1.0mm×1.0mm。



新產品采用融入ROHM自有工藝方法的Wettable Flank成型技術※2,以1.0mm×1.0mm的尺寸,保證了封裝側面電極部分125μm的高度,屬于業內較高水平。經自動光學檢查(以下簡稱“AOI”※3),在追求品質的車載相關設備上安裝重要元器件后會實施該檢查)確認,實現了非常出色的焊接可靠性。另外,通常小型化和高散熱性之間存在著矛盾權衡關系,采用底部電極結構的新封裝同時兼顧了小型化與高散熱性,非常適用于電路板高密度化的車載ECU和高級駕駛輔助系統(ADAS)等相關設備。





新產品已于2020年9月開始暫以月產10萬個的規模投入量產(樣品價格:100日元/個,不含稅)。

近年來,隨著汽車電子化進程的加速,一臺汽車中使用的電子元器件和半導體元器件數量呈增多趨勢。因此,需要在有限的空間里安裝更多的元器件,安裝密度越來越高。例如,1個車載ECU中的半導體和積層陶瓷電容器的平均搭載數量,預計到2025年將從2019年的186個※增加至230個※,增加近3成。為了滿足安裝密度越來越高的車載應用的需求,市場對小型化的要求也越來越高,因此能夠兼顧小型和高散熱性的底部電極封裝形式開始受到青睞。

另一方面,對于車載元器件,為確?煽啃,雖然會在安裝元器件后實施AOI,但由于底部電極封裝只在底部有電極,故無法確認焊接狀態,進行車載標準的AOI有一定難度。

※截至2020年9月29日據ROHM調查

新產品采用ROHM自有的Wettable Flank成型技術,成功解決了這一課題,并實現了車載用超小型MOSFET,得到了越來越多的汽車領域制造商的青睞。未來,不僅在MOSFET領域,ROHM 也會在雙極晶體管和二極管領域的產品陣容進行不斷擴充。



<特點>

1.  利用融入ROHM自有工藝方法的Wettable Flank成型技術, 保證封裝側面電極部分125μm的高度
采用傳統技術的底部電極封裝,因其無法在引線框架側面進行電鍍加工,無法確保車載所需的焊料高度,難以實施AOI。新產品采用ROHM自有的 Wettable Flank成型技術, 實現達到引線框架上限的電鍍加工,以1.0mm×1.0mm的尺寸,保證封裝側面電極部分高度達125μm。即使是底部電極封裝,也可實現穩定的焊接圓角,通過元器件安裝后的AOI可切實確認焊接狀態。


2.  替換為超小型、高散熱性的MOSFET,可應對電路板的高密度化
新產品尺寸僅為1.0mm×1.0mm(DFN1010封裝),卻實現了與2.9mm×2.4mm尺寸(SOT-23封裝)同等的性能,可削減安裝面積達85%左右。不僅如此,通過采用散熱性能優異的底部電極,與SOT-23封裝相比,可將通常因體積縮小而降低的散熱性提高65%。新產品兼顧了小型化與高散熱性,非常適用于隨功能增加,電路板日益高密度化的車載ECU和ADAS相關設備等應用。

<產品陣容>



<應用示例>

可作為開關應用和反接保護應用中的通用產品使用
·自動駕駛控制ECU ·車載信息娛樂系統
·引擎控制ECU     ·行車記錄儀等
·ADAS相關設備


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