通用選擇器將大大提高MRAM存儲技術能力

發布時間:2020-10-10 16:12    發布者:宇芯電子
關鍵詞: MRAM , 非易失性存儲器 , DRAM , MRAM存儲器
一種稱為Universal Selector的新創新技術,它將顯著提高現有和新興存儲技術(包括MRAM,DRAM和ReRAM)的功能,因為它將提供一種新穎的方式設計垂直單元晶體管,以實現更高水平的性能和可靠性和密度。

自旋存儲器的通用選擇器是一種選擇性的垂直外延單元晶體管,其溝道的摻雜濃度足夠低,可以完全耗盡。對于MRAM存儲器,通用選擇器使制造商能夠創建6F2–10F2(6F2–10F2)的1T1R存儲位單元,從而使制造商可以在同一面積內嵌入多達五倍的存儲器,而所需的晶片處理成本卻最低。

MRAM存儲器可以抵抗高輻射,也可以在極端溫度條件下運行,并且可以防篡改。這使得MRAM存儲器適用于汽車和工業,軍事和太空應用,這些對于MRAM存儲器開發人員來說是重要的部分。

通用選擇器是第一個真正的行業解決方案,可解決行錘干擾的DRAM問題,同時降低了軟錯誤率(SER)和泄漏。

完全耗盡的單元晶體管以及其他獨特的工藝和器件功能會導致關鍵的架構變化,從而使溝道與硅襯底完全電隔離。這完全消除了任何捕獲或遷移的電子引起行錘的可能性,從而使該設計不受行錘的影響。

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宇芯電子 發表于 7 天前
MRAM存儲器可以抵抗高輻射,也可以在極端溫度條件下運行,并且可以防篡改。這使得MRAM存儲器適用于汽車和工業,軍事和太空應用,這些對于MRAM存儲器開發人員來說是重要的部分。
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